DiodesZetex Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 9.1 A 1.9 W, 8-Pin VDFN
- RS Best.-Nr.:
- 182-6931
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6018LDR-13
- Hersteller:
- DiodesZetex
Bestandsabfrage leider nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 182-6931
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6018LDR-13
- Hersteller:
- DiodesZetex
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | VDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 26mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.9W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.75V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Länge | 3.05mm | |
| Normen/Zulassungen | J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße VDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 26mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.9W | ||
Durchlassspannung Vf 0.75V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Länge 3.05mm | ||
Normen/Zulassungen J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | ||
Höhe 0.8mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Anwendungen
Stromüberwachungsfunktionen
Analogschalter
Verwandte Links
- DiodesZetex Doppelt Typ N-Kanal 2 8-Pin VDFN
- DiodesZetex Doppelt Typ N-Kanal 2 8-Pin PowerDI5060
- DiodesZetex Doppelt Typ N-Kanal 2 8-Pin PowerDI5060-8
- DiodesZetex Doppelt DMHT10H032LFJ Typ N-Kanal 1 12-Pin VDFN
- DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal 8-Pin VDFN-3030
- DiodesZetex Doppelt DMT6015LPDW Typ N-Kanal 1 8-Pin PowerDI5060
- DiodesZetex Doppelt DMNH6035 Typ N-Kanal 1 8-Pin PowerDI5060
- DiodesZetex Doppelt ZXMS6008N8 Typ N-Kanal 2 8-Pin SO-8