DiodesZetex DMG Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4 A 900 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
182-6879
Herst. Teile-Nr.:
DMG3415U-7-57
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

DMG

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

71mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

900mW

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.1nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3mm

Breite

1.4 mm

Höhe

1mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom

ESD-Schutz bis 3 kV

Vollständig bleifrei

halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät.

PPAP-fähig

Anwendungen

DC/DC-Wandler

Stromüberwachungsfunktionen

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