DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 9 A 13 W, 3-Pin ITO-220

RS Best.-Nr.:: 169-7185
Herst. Teile-Nr.:: DMG9N65CTI
Hersteller:: DiodesZetex

DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 9 A 13 W, 3-Pin ITO-220

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Herst. Teile-Nr.:: DMG9N65CTI
Hersteller:: DiodesZetex

DMG4N65CTI N-channel Enhancement Mode MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	9 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	ITO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	1,3 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	13 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Breite	4.9mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	39 nC @ 10 V
Länge	16.07mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	16.07mm

DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 9 A 13 W, 3-Pin ITO-220

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N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc.

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