Vishay Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 800 V / 1.4 A 30 W TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 180-8699
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFIBE20GPBF
- Hersteller:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 180-8699
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFIBE20GPBF
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- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.5Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.5Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Vishay IRFIBE20G ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-to-Source(Vds)-Spannung von 800 V. Die Gate-Source-Spannung (VGS) beträgt 20 V. Es hat TO-220 FULLPAK-Gehäuse. Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 6,5 Ohm bei 10 VGS.
Isoliertes Gehäuse
Hochspannungsisolierung = 2,5 kV eff (t = 60 s.; F = 60 Hz)
Kriechstrecke zwischen Senke und Leitung = 4,8 mm
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