Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 800 V / 4.1 A 125 W, 3-Pin

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RS Best.-Nr.:
180-8664
Herst. Teile-Nr.:
IRFBE30LPBF
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

78nC

Durchlassspannung Vf

1.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Vishay IRFBE30L ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-to-Source(Vds)-Spannung von 800 V. Die Gate-Source-Spannung (VGS) beträgt 20 V. Es hat I2PAK (TO-262) und D2PAK (TO-263) Gehäuse. Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 3 Ohm bei 10 VGS. Maximaler Drain-Strom: 4,1 A.

Dynamische dV-/dt-Bewertung

Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

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