Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 800 V / 4.1 A 125 W, 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 180-8664
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFBE30LPBF
- Hersteller:
- Vishay
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- IRFBE30LPBF
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- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 78nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 78nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 800 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 4,1 A – IRFBE30LPBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für Leistungsumwandlungs- und Steuerungsaufgaben in industriellen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten thermischen Bereich und eignet sich für Schaltkreise, die eine robuste Hochspannungsbeanspruchung und eine moderate Dauerstrombelastbarkeit in einem Durchsteck-Leistungsgehäuse erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 800 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 4,1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhafte Lastströme • Der Einschaltwiderstand von 3 Ω reduziert Leitungsverluste in Schwachstromkreisen • Die Verlustleistung von 125 W ermöglicht die Handhabung einer erheblichen Leistung in begrenzten Abmessungen • Die typische Gate-Ladung von 78 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltenergiebudgetlierung • 20 V Gate-Source-Grenze schützt die Gate-Antriebsauswahl und das Schaltungsdesign
Anwendungen
• Geeignet für industrielle Stromversorgungen und DC/DC-Wandler • Ideal für Hochspannungs-Motorantriebs-Frontenden mit moderatem Strom • Wird für Snubber- oder Klemmschaltungen in Hochspannungssystemen verwendet • Kann für Schaltelemente in Schweiß- oder Plasmasteuerungselektronik verwendet werden
Welchem Temperaturbereich hält es im Betrieb stand?
Es ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C spezifiziert und ermöglicht den Einsatz unter rauen thermischen Bedingungen.
Welches Gehäuse sollte für das Leiterplatten-Layout und die Montage in Betracht gezogen werden?
Das TO-262-Gehäuse erfordert eine Durchsteckmontage und größere Kupferflächen zur Wärmeableitung.
Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Treiberauswahl aus?
Eine typische Gate-Ladung von 78 nC bei der Gate-Antriebsspannung bestimmt den erforderlichen Treiberstrom und die Schaltverluste während der Übergänge.
Gibt es Einschränkungen bei der Gate-Spannungsanwendung?
Die maximale zulässige Gate-Source-Spannung beträgt 20 V, sodass Gate-Treiber und Schutznetzwerke eine Überschreitung verhindern müssen.
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