Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 500 V / 5 A 74 W, 3-Pin

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 5,24

(ohne MwSt.)

€ 6,29

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 455 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45€ 1,048€ 5,24
50 - 120€ 0,942€ 4,71
125 - 245€ 0,89€ 4,45
250 - 495€ 0,838€ 4,19
500 +€ 0,788€ 3,94

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
180-8670
Herst. Teile-Nr.:
IRF830ALPBF
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4Ω

Maximale Verlustleistung Pd

74W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Länge

9.65mm

Normen/Zulassungen

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Breite

10.67 mm

Höhe

4.83mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal TO-263-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 500 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 30 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 1,4 mohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 74 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Vollständig charakterisierte Kapazität und Lawinenspannung und -strom

• Halogenfrei

• Verbessertes Gate, Lawinen und dynamisches dV/dt

• bleifreie Komponente (Pb)

• Niedrige Gate-Ladung Qg führt zu einfachen Treiberanforderungen

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen


• Hochgeschwindigkeitsschalten

• Schaltnetzteil (SMPS)

• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen

Verwandte Links