Vishay MOSFET

Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal TO-263-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 400 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 30 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 10 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 74 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

• Vollständig charakterisierte Kapazität und Lawinenspannung und -strom
• Halogen- und bleifreie Komponente (Pb)
• Verbessertes Gate, Lawinen und dynamisches dV/dt
• Niedrige Gate-Ladung Qg führt zu einfachen Treiberanforderungen
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

• Hochgeschwindigkeitsschalten
• Schaltnetzteil (SMPS)
• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen