Vishay Einfach Typ N-Kanal 1, Oberfläche, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET 200 V / 2.6 A 25 W, 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 180-8342
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR210PBF
- Hersteller:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 180-8342
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR210PBF
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- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Montageart | Oberfläche, Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25W | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.2nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 6.22mm | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Breite | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Montageart Oberfläche, Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25W | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.2nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 6.22mm | ||
Höhe 2.38mm | ||
Breite 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Vishay IRFR210 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-to-Source(Vds)-Spannung von 200 V. Die Gate-Source-Spannung (VGS) beträgt 20 V. Es verfügt über das DPAK- (TO-252) und das IPAK- (TO-251) Gehäuse. Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 1,5 Ohm bei 10 VGS.
Dynamische dV-/dt-Bewertung
Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt
Oberflächenmontage