Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 136 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 180-7967
- Herst. Teile-Nr.:
- SQD50P06-15L_GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 98nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 136W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Länge | 10.41mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.73mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 98nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 136W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.38mm | ||
Länge 10.41mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.73mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- TW
Vishay MOSFET
Der Vishay P-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 15,5 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 50 A und eine maximale Verlustleistung von 136 W. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen Transistor beträgt 4,5 V bzw. 10 V. Er wird in Kfz-Anwendungen eingesetzt. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Halogenfrei
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.
• Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Anwendungen
• Adapterschalter
• Lastschalter
Zertifizierungen
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg-geprüft
• UIS-geprüft
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