Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 190 A, 3-Pin SC-75
- RS Best.-Nr.:
- 180-7825
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1021R-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 180-7825
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1021R-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 60 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 190 A | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | SC-75 | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 8 Ω | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Serie TrenchFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 60 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 190 A | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße SC-75 | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 8 Ω | ||
- Ursprungsland:
- CN
The Vishay Siliconix Si1021R series TrenchFET power MOSFET has low on state resistance and has fast switching speed. It is used in battery operated systems, power supply converter circuits, solid state relays and in drivers.
Ease in driving switches
Low offset voltage
Low-voltage operation
High-speed circuits
Easily driven without buffer
Small board Area
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