Vishay Si1012CR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 630 mA 240 mW, 3-Pin SC-75

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
787-9005
Herst. Teile-Nr.:
SI1012CR-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

630mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

Si1012CR

Gehäusegröße

SC-75

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.1Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.3nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

240mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.8mm

Breite

0.86 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

1.68mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 8 V bis 25 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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