Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 16 A 13 W, 6-Pin MICRO FOOT

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

€ 13,70

(ohne MwSt.)

€ 16,45

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 14. Juni 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 225€ 0,548€ 13,70
250 - 600€ 0,519€ 12,98
625 - 1225€ 0,394€ 9,85
1250 - 2475€ 0,357€ 8,93
2500 +€ 0,302€ 7,55

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
180-7932
Herst. Teile-Nr.:
SI8483DB-T2-E1
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

12V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

MICRO FOOT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

26mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21nC

Maximale Verlustleistung Pd

13W

Gate-Source-spannung max Vgs

10V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

1.5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1mm

Höhe

0.59mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Zweikanal-MOSFET der Vishay Siliconix Si8483DB-Serie TrenchFET mit zwei N-Kanälen hat eine Ableitungs-/Quellspannung von 12 V. Es ist die maximale Verlustleistung von 13 W und wird hauptsächlich in Lastschaltern in tragbaren Geräten verwendet.

Niedriger Spannungsabfall

Geringer Stromverbrauch

Längere Batterie- lebensdauer

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.