Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 16 A 13 W, 6-Pin MICRO FOOT

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RS Best.-Nr.:
180-7326
Herst. Teile-Nr.:
SI8483DB-T2-E1
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

12V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

MICRO FOOT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

26mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21nC

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

13W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

1 mm

Höhe

0.59mm

Länge

1.5mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Zweikanal-MOSFET der Vishay Siliconix Si8483DB-Serie TrenchFET mit zwei N-Kanälen hat eine Ableitungs-/Quellspannung von 12 V. Es ist die maximale Verlustleistung von 13 W und wird hauptsächlich in Lastschaltern in tragbaren Geräten verwendet.

Niedriger Spannungsabfall

Geringer Stromverbrauch

Längere Batterie- lebensdauer

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