Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A 78 W, 7-Pin WDSON

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RS Best.-Nr.:
178-7487
Herst. Teile-Nr.:
BSB028N06NN3GXUMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

WDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

108nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

78W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.35mm

Höhe

0.53mm

Breite

5.05 mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V


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