Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 150 A 150 W, 8-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 178-3948P
Herst. Teile-Nr.:: SQM40022EM_GE3
Hersteller:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 150 A 150 W, 8-Pin TO-263

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay Siliconix
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	150A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	TrenchFET
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	106nC
	Durchlassspannung Vf	1.5V
	Maximale Verlustleistung Pd	150W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	4.83 mm
	Länge	10.67mm
	Höhe	11.3mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

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	Marke Vishay Siliconix
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 150A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie TrenchFET
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 106nC
	Durchlassspannung Vf 1.5V
	Maximale Verlustleistung Pd 150W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 4.83 mm
	Länge 10.67mm
	Höhe 11.3mm
	Automobilstandard AEC-Q101