Vishay Siliconix TrenchFET SQM40022EM_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 150 A 150 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 178-3948
Herst. Teile-Nr.:: SQM40022EM_GE3
Hersteller:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET SQM40022EM_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 150 A 150 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 178-3948
Herst. Teile-Nr.:: SQM40022EM_GE3
Hersteller:: Vishay Siliconix

Datasheet

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	150 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Serie	TrenchFET
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	7
Drain-Source-Widerstand max.	3 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3.5V
Verlustleistung max.	150 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.83mm
Länge	10.67mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	106 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Höhe	11.3mm
Automobilstandard	AEC-Q101
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.5V

Vishay Siliconix TrenchFET SQM40022EM_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 150 A 150 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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