Vishay Siliconix TrenchFET SiDR392DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

RS Best.-Nr.:: 178-3670
Herst. Teile-Nr.:: SiDR392DP-T1-GE3
Hersteller:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET SiDR392DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

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RS Best.-Nr.:: 178-3670
Herst. Teile-Nr.:: SiDR392DP-T1-GE3
Hersteller:: Vishay Siliconix

Datasheet

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Serie	TrenchFET
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8DC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	900 μΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.2V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	125 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	+20 V, +6 V
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	125 nC @ 10 V
Länge	5.99mm
Breite	5mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	1.07mm
Diodendurchschlagsspannung	1.1V
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Vishay Siliconix TrenchFET SiDR392DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

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