Vishay Siliconix Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 30 A 16.7 W, 8-Pin

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RS Best.-Nr.:
178-3944
Herst. Teile-Nr.:
SiZ350DT-T1-GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
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Marke

Vishay Siliconix

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAIR 3 x 3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Verlustleistung Pd

16.7W

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.1nC

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Breite

3 mm

Länge

3mm

Höhe

0.75mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
TW
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Die High-Side- und die Low-Side-MOSFETs bilden eine optimierte

Kombination für 50 % Tastverhältnis

Optimierter RDS – Qg und RDS – Qgd FOM steigert den

Wirkungsgrad beim Schalten hoher Frequenzen

ANWENDUNGEN

Synchroner Abwärtsregler

DC/DC-Wandlung

Halbbrücke

POL

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