Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 60 A 50 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:
178-3940
Herst. Teile-Nr.:
SIRC06DP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
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Marke

Vishay Siliconix

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

60 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

50 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Länge

5.99mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

38,5 nC @ 10 V

Höhe

1.07mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

0.7V

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
CN
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
SkyFET® mit monolithischer Schottky-Diode

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