Vishay Siliconix TrenchFET SQJ504EP-T1_GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A 34 W, 34 W, 4-Pin PowerPak

RS Best.-Nr.:: 178-3893
Herst. Teile-Nr.:: SQJ504EP-T1_GE3
Hersteller:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET SQJ504EP-T1_GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A 34 W, 34 W, 4-Pin PowerPak

Mengenrabatt verfügbar

Preis pro 1 Stück (in Packung zu 10)

€ 1,114

(ohne MwSt.)

€ 1,337

(inkl. MwSt.)

Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.*

* Die Liefertermine können sich je nach gewählter Menge und Lieferadresse ändern.

Stück	Pro Stück	Pro Packung**
10 - 90	€ 1,114	€ 11,14
100 - 490	€ 1,079	€ 10,79
500 - 990	€ 1,051	€ 10,51
1000 +	€ 1,024	€ 10,24

**Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 178-3893
Herst. Teile-Nr.:: SQJ504EP-T1_GE3
Hersteller:: Vishay Siliconix

Datasheet

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	30 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Serie	TrenchFET
Gehäusegröße	PowerPak SO-8L Dual
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	30 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1.5V
Verlustleistung max.	34 W, 34 W
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	5.99mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	18 nC (N-Kanal) @ 10 V, 56 nC (P-Kanal) @ 10 V
Breite	5mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Automobilstandard	AEC-Q101
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.07mm

Vishay Siliconix TrenchFET SQJ504EP-T1_GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 30 A 34 W, 34 W, 4-Pin PowerPak

Vishay MOSFET

Eigenschaften und Vorteile

Zertifizierungen

Verwandte Produkte