Vishay Siliconix TrenchFET SQM40016EM_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 250 A 300 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 178-3723
- Herst. Teile-Nr.:
- SQM40016EM_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- TW
Informationen zur Produktgruppe
TrenchFET® Leistungs-MOSFET
Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 250 A |
Drain-Source-Spannung max. | 40 V |
Serie | TrenchFET |
Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 7 |
Drain-Source-Widerstand max. | 1 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 3.5V |
Verlustleistung max. | 300 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | ±20 V |
Länge | 10.67mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 163 nC @ 10 V |
Breite | 4.83mm |
Höhe | 11.3mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.5V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Automobilstandard | AEC-Q101 |