Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 14.2 A 24 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS Best.-Nr.:
178-3693
Herst. Teile-Nr.:
SiS110DN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
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Marke

Vishay Siliconix

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

70mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

24W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.15mm

Breite

3.15 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.07mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM

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