Vishay IRL N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 17 A 3.1 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
178-0857
Herst. Teile-Nr.:
IRL640SPBF
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

IRL

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

180mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

10V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

66nC

Maximale Verlustleistung Pd

3.1W

Durchlassspannung Vf

2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.67mm

Höhe

4.83mm

Breite

9.65mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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