- RS Best.-Nr.:
- 178-0817
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9640PBF
- Hersteller:
- Vishay
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Preis pro 1 Stück (in Stange zu 50)
€ 1,881
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(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
50 - 50 | € 1,881 | € 94,05 |
100 - 200 | € 1,787 | € 89,35 |
250 + | € 1,693 | € 84,65 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 178-0817
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9640PBF
- Hersteller:
- Vishay
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor
Die Vishay Leistungs-MOSFETs der dritten Generation bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schneller Schaltung, robustem Gerätedesign, geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird universell für alle kommerziellen und industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu ca. 50 W bevorzugt
Dynamische dV-/dt-Bewertung
Einfacher Parallelbetrieb
Einfache Laufwerkanforderungen
Einfacher Parallelbetrieb
Einfache Laufwerkanforderungen
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 11 A |
Drain-Source-Spannung max. | 200 V |
Gehäusegröße | TO-220AB |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 500 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 125 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Länge | 10.41mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 4.7mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Höhe | 9.01mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |