Vishay IRFR420 N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 2.4 A 42 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 177-7553
Herst. Teile-Nr.:: IRFR420TRPBF
Hersteller:: Vishay

Vishay IRFR420 N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 2.4 A 42 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:: 177-7553
Herst. Teile-Nr.:: IRFR420TRPBF
Hersteller:: Vishay

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	2.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	500V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	IRFR420
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	42W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.6V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	19nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	-20V, +20V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	6.73mm
	Breite	6.22mm
	Höhe	2.39mm
	Normen/Zulassungen	RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 500V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie IRFR420
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 42W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.6V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC
	Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 6.73mm
	Breite 6.22mm
	Höhe 2.39mm
	Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	Automobilstandard Nein

Leistungs-MOSFET der Serie IRFR420 von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung 500 V, maximale Verlustleistung 42 W – IRFR420TRPBF

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen in industriellen und elektronischen Geräten entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich für anspruchsvolle Umgebungen und wird in einem kompakten Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für Baugruppen auf Platinenebene geeignet ist.

Merkmale und Vorteile:

• Maximale Drain-Source-Spannung von 500 V für Hochspannungsschaltfähigkeit
• 3 Ω Rds(on) ermöglicht vorhersehbare Leitungsverluste
• 2,4 A kontinuierlicher Ablassstrom für die Handhabung von Steady-State-Lasten
• 19 nC Gate-Ladung unterstützt effiziente Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 42 W für die Budgetierung der thermischen Leistung
• 20-V-Gate-Source-Nennleistung für hohe Gate-Drive-Margen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile
• Ideal für industrielle Motorsteuerungsfrontenden
• Einsatz mit isolierten DC/DC-Wandlern in Stromversorgungssystemen
• Kann für Lampen- und Heizschaltkreise verwendet werden
• Geeignet für robuste Elektronik, die bei extremen Temperaturen arbeitet

Welche Befestigungsmethode sollte für einen zuverlässigen Betrieb verwendet werden?

Das Gehäuse ist ein TO-252-Oberflächenmontage-Typ, sodass Standard-SMT-Reflow-Prozesse und kompatible Erdungsmuster für die Leiterplattenmontage geeignet sind.

Welche thermischen Grenzwerte müssen Entwickler bei der Gestaltung berücksichtigen?

Das Gerät leitet bis zu 42 W ab

Kupferfläche, Wärmeleitungen und ausreichende Wärmeableitung auf der Leiterplatte sind erforderlich, um die Sperrschichttemperatur innerhalb der Grenzen zu halten.

Wie wirkt sich die Wahl des Gate-Antriebs auf die Schaltleistung aus?

Ein Antrieb, der der 20-V-Gate-Source-Grenze nähert, sorgt für ein schnelleres Einschalten, während die Gate-Ladeziffer von 19 nC hilft, den erforderlichen Antriebsstrom und die Schaltverluste zu schätzen.

Welchen extremen Umgebungsbedingungen kann er standhalten?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Anwendungen mit großen Umgebungs- und Sperrschichttemperaturschwankungen.