Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ROHM
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	10 A
	Drain-Source-Spannung max.	200 V
	Serie	RD3T100CN
	Gehäusegröße	TO-252
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	182 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	5.25V
	Gate-Schwellenspannung min.	3.25V
	Verlustleistung max.	85 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	±30 V
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	25 nC @ 10 V
	Länge	6.8mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Breite	6.4mm
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Diodendurchschlagsspannung	1.5V
	Höhe	2.4mm
	Betriebstemperatur min.	–55 °C

	Alle auswählen
	Marke ROHM
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 10 A
	Drain-Source-Spannung max. 200 V
	Serie RD3T100CN
	Gehäusegröße TO-252
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 182 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 5.25V
	Gate-Schwellenspannung min. 3.25V
	Verlustleistung max. 85 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. ±30 V
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 25 nC @ 10 V
	Länge 6.8mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Breite 6.4mm
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Diodendurchschlagsspannung 1.5V
	Höhe 2.4mm
	Betriebstemperatur min. –55 °C

Datasheet

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:: TH

Der RD3T100CN ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und schneller Schaltgeschwindigkeit, für Schaltanwendungen geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Einfache Antriebskreise möglich
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung

ROHM RD3T100CN N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 10 A 85 W, 3-Pin TO-252

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