Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 180 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 171-2499
- Herst. Teile-Nr.:
- TK100S04N1L
- Hersteller:
- Toshiba
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- RS Best.-Nr.:
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- TK100S04N1L
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- Toshiba
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 180W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Länge | 6.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 7 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 180W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.3mm | ||
Länge 6.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 7 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- JP
Anwendungsbereich
Kfz
Schaltspannungsregler
Motortreiber
Merkmale
Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle: RDS(ON) = 1,9 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max.) (VDS = 40 V)
Verbesserungsmodus: Vth = 1,5 bis 2,5 V (VDS = 10 V, ID = 0,5 mA)