Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 300 A 142 W, 8-Pin DSOP

RS Best.-Nr.:: 171-2373
Herst. Teile-Nr.:: TPWR8503NL
Hersteller:: Toshiba

Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 300 A 142 W, 8-Pin DSOP

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Herst. Teile-Nr.:: TPWR8503NL
Hersteller:: Toshiba

Datasheet

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	300 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	DSOP
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	1,3 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.3V
Gate-Schwellenspannung min.	1.3V
Verlustleistung max.	142 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Breite	5mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	74 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	5mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Höhe	0.73mm

Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 300 A 142 W, 8-Pin DSOP

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