Infineon IPB020N10N5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 176 A 375 W, 5-Pin TO-263

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
171-1955
Herst. Teile-Nr.:
IPB020N10N5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

176A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

IPB020N10N5

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

168nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.31mm

Höhe

4.57mm

Breite

11.05 mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon IPB020N10N5 ist ein OptiMOS 5 100-V-Leistungs-MOSFET in D2PAK-Gehäuse mit 22 % niedrigerem RDS(on). Es wurde speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikationsblöcken entwickelt, einschließlich Or-ing, Hot-Swap und Batterie sowie für Servernetzteilanwendungen.

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

Ideal für hohe Schaltfrequenzen

Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %

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