Vishay SQ Rugged Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 25 A 62 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
170-8300
Herst. Teile-Nr.:
SQD25N06-22L_GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

TrenchFET Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SQ Rugged

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Leiterplattenmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.022Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

50nC

Maximale Verlustleistung Pd

62W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.73mm

Höhe

2.38mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal MOSFET, Serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor


Die MOSFETs der Serie SQ von Vishay Semiconductor wurden für alle Kfz Anwendungen entwickelt, die Robustheit und hohe Zuverlässigkeit erfordern.

Vorteile von MOSFETs der Serie SQ Rugged


• AEC-Q101-qualifiziert

• Anschlusstemperatur: bis zu +175 °C

• N- und P-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand

• Innovative platzsparende Gehäuseoptionen

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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