Infineon BSC030N08NS5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 170-2311
Herst. Teile-Nr.:: BSC030N08NS5ATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon BSC030N08NS5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:: 170-2311
Herst. Teile-Nr.:: BSC030N08NS5ATMA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

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Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	100A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	BSC030N08NS5
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	139W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	61nC
	Durchlassspannung Vf	800mV
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	5.49mm
	Höhe	1.1mm
	Breite	6.35mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie BSC030N08NS5
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 139W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 61nC
	Durchlassspannung Vf 800mV
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 5.49mm
	Höhe 1.1mm
	Breite 6.35mm
	Automobilstandard Nein

Infineon BSC030N08NS5 Serie MOSFET, 80 V maximale Drain-Source-Spannung, 100 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC030N08NS5ATMA1

Dieser N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET ist für Hochstromschaltungen in oberflächenmontierter Leistungselektronik konzipiert. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und bewältigt erhöhte Spannungen und Ströme, wodurch er sich für anspruchsvolle thermische und elektrische Umgebungen eignet. Die Komponente lässt sich in kompakte Leiterplatten-Layouts integrieren und unterstützt schnelles Schalten für Leistungsumwandlungs- oder Motorantriebsstufen.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 80 V Drain-Source ermöglicht den Betrieb auf Schienen mit höherer Spannung
• 100 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht die Handhabung hoher Ströme
• 3 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste in Lastwegen
• Die Verlustleistung von 139 W unterstützt einen erheblichen thermischen Durchsatz
• Die Gesamt-Gate-Ladung von 61 nC ermöglicht schnelle Umschaltvorgänge
• 20-V-Gate-Source-Grenzwert ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstromschaltstufen in Stromversorgungen
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Wandlern
• Wird mit Motortreibern verwendet, die ein schnelles Schalten erfordern
• Kann zum Schalten von Lasten in Telekommunikations-Stromversorgungssystemen verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule

Welche Gehäusetypen sollte ich in der Leiterplattenabmessung zulassen?

Das Gerät wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist, sodass bei Bedarf ein kompatibles Erdungsmuster und thermische Leitungen gewährleistet sind.

Wie tolerant ist es gegenüber extremen Umgebungsbedingungen?

Die Komponente ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Anwendungen mit großen Temperaturschwankungen.

Welche Gate-Drive-Bedenken sind für einen effizienten Betrieb erforderlich?

Mit einer typischen Gate-Ladung von 61 nC und einer maximalen Vgs von 20 V wählen Sie einen Treiber, der ausreichend Spitzenstrom liefern kann und innerhalb der Gate-Spannungsgrenze bleibt, um die Schaltgeschwindigkeit zu optimieren.

Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf Niederspannungsdesigns aus?

Das Gerät weist eine Durchlassspannung von 0,8 V auf, was die Berechnung des Leitungsabfalls in Niederspannungs- und Hochstromsystemen beeinflusst und in die Schätzungen der Verlustleistung einbezogen werden sollte.