DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 5 A 2.81 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
169-7466
Herst. Teile-Nr.:
DMN6066SSS-13
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

DMN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

97mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.81W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.3nC

Durchlassspannung Vf

0.89V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4 mm

Höhe

1.5mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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