DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 15 A 1.4 W, 8-Pin TSSOP

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RS Best.-Nr.:
182-7013
Herst. Teile-Nr.:
DMN3020UTS-13
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

DMN

Gehäusegröße

TSSOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

50mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.4W

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.02mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.1 mm

Länge

4.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.

Niedrige Gate-Schwellenspannung, geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand für Anwendungen mit ESD-geschütztem Gate, Batterieüberwachungsanwendungen, Stromversorgungsfunktionen und DC/DC-Wandler

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