Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 250 W, 3-Pin TO-3PN

RS Best.-Nr.:: 168-7791
Herst. Teile-Nr.:: TK10J80E
Hersteller:: Toshiba

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 250 W, 3-Pin TO-3PN

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RS Best.-Nr.:: 168-7791
Herst. Teile-Nr.:: TK10J80E
Hersteller:: Toshiba

TK10J80E, MOSFET Silicon N-Channel MOS Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	10 A
Drain-Source-Spannung max.	800 V
Serie	TK
Gehäusegröße	TO-3PN
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	1 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Verlustleistung max.	250 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	46 nC @ 10 V
Länge	15.5mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	4.5mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	20mm

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 250 W, 3-Pin TO-3PN

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