STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 21 A 30 W, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 168-5889
- Herst. Teile-Nr.:
- STF28N60DM2
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
€ 123,55
(ohne MwSt.)
€ 148,25
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 + | € 2,471 | € 123,55 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-5889
- Herst. Teile-Nr.:
- STF28N60DM2
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 21 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 160 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 30 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 4.6mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.6V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 21 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 160 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 30 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 4.6mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 34 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 16.4mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.6V | ||
- Ursprungsland:
- CN
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh M2 STFH10N60M2 N-Kanal5 A 25 W, 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics MDmesh N-Kanal 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics MDmesh N-Kanal 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics MDmesh THT MOSFET 500 V / 10 A 30 W, 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics MDmesh THT MOSFET 600 V / 2 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics MDmesh THT MOSFET 600 V / 6 A 30 W, 3-Pin TO-220FP