STMicroelectronics MDmesh M2 STFH10N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,5 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
124-1105P
Herst. Teile-Nr.:
STFH10N60M2
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

7,5 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

TO-220FP

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

600 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

25 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

13,5 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.8mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

11.1mm

Höhe

16.2mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

MDmesh M2

Diodendurchschlagsspannung

1.6V

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics


Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

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