IXYS GigaMOS Trench HiperFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 420 A 1.07 kW, 4-Pin SOT-227

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RS Best.-Nr.:
168-4579
Herst. Teile-Nr.:
IXFN420N10T
Hersteller:
IXYS
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Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

420A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOT-227

Serie

GigaMOS Trench HiperFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

670nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

1.07kW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

9.6mm

Länge

38.23mm

Breite

25.07mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie GigaMOS™


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