IXYS GigaMOS Trench HiperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 360 A 830 W, 4-Pin SOT-227

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RS Best.-Nr.:
168-4577
Herst. Teile-Nr.:
IXFN360N10T
Hersteller:
IXYS
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Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

360A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

GigaMOS Trench HiperFET

Gehäusegröße

SOT-227

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

525nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

830W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

25.07 mm

Höhe

9.6mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

38.23mm

Automobilstandard

Nein

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