IXYS PolarHVTM HiPerFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 70 A 625 W, 3-Pin ISOPLUS264
- RS Best.-Nr.:
- 168-4575
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFL100N50P
- Hersteller:
- IXYS
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | ISOPLUS264 | |
| Serie | PolarHVTM HiPerFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 52mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 240nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 625W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 26.42mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 20.29mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße ISOPLUS264 | ||
Serie PolarHVTM HiPerFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 52mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 240nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 625W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 26.42mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 20.29mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS Serie HiperFET PolarHV
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs vom Anreicherungstyp der Serie IXYS PolarHV™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET-Transistoren, IXYS
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