IXYS HiperFET, Polar3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 26 A 500 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 802-4360
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-53-316
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFH26N50P3
- Hersteller:
- IXYS
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
€ 6,74
(ohne MwSt.)
€ 8,09
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 3 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 81 Einheit(en) mit Versand ab 23. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 5 | € 6,74 |
| 6 - 14 | € 6,26 |
| 15 + | € 5,89 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 802-4360
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-53-316
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFH26N50P3
- Hersteller:
- IXYS
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 26A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | HiperFET, Polar3 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 240mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 21.46mm | |
| Länge | 16.26mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie HiperFET, Polar3 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 240mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500W | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 21.46mm | ||
Länge 16.26mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
Verwandte Links
- IXYS HiperFET Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 26 A 500 W, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 26 A 500 W, 3-Pin TO-3P
- IXYS HiperFET Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 26 A 500 W, 3-Pin TO-220
- IXYS HiperFET Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 34 A 695 W, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 60 A 1.04 kW, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 16 A 330 W, 3-Pin TO-247
- IXYS HiperFET Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 78 A 1.13 kW, 3-Pin TO-264
- IXYS HiperFET Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 78 A 1.13 kW, 3-Pin PLUS247