onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 11.2 A 5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
166-2650
Herst. Teile-Nr.:
FDS86140
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

17mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

29nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.5mm

Länge

4mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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