onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3.5 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 917-5507
Herst. Teile-Nr.:: FDS9431A
Hersteller:: onsemi

onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3.5 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

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Herst. Teile-Nr.:: FDS9431A
Hersteller:: onsemi

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	3.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Gehäusegröße	SOIC
	Serie	PowerTrench
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	130mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	8 V
	Maximale Verlustleistung Pd	2.5W
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	6nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	4 mm
	Höhe	1.5mm
	Länge	5mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Gehäusegröße SOIC
	Serie PowerTrench
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 130mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 8 V
	Maximale Verlustleistung Pd 2.5W
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 4 mm
	Höhe 1.5mm
	Länge 5mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor

Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten.

Eigenschaften und Vorteile:

• Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter

• Zelldesign mit hoher Dichte

• Hoher Sättigungsstrom

• Hervorragende Schaltleistung

• Große robuste und zuverlässige Leistung

• DMOS-Technologie

Anwendungen:

• Lastschaltung

• DC/DC-Wandler

• Batterieschutz

• Stromüberwachungssteuerung

• Gleichstrommotor-Steuerung

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.