onsemi SuperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 20 A 208 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Lieferengpass
Aufgrund eines weltweiten Versorgungsengpasses können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
RS Best.-Nr.:
166-1748
Herst. Teile-Nr.:
FCB20N60TM
Hersteller:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

SuperFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

190mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

75nC

Durchlassspannung Vf

1.4V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

208W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.83mm

Länge

9.65mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.65 mm

Automobilstandard

Nein

SuperFET® und SuperFET® II N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


Fairchild hat die Hochspannungsleistungs-MOSFET-Familie SuperFET® II mit der Super Junction-Technologie eingeführt. Sie bietet eine Diode mit robustem Gehäuse und erstklassiger Leistung bei Anwendungen in AC/DC-Schaltnetzteilen (SMPS), z. B. Server, Telekommunikation, Computer, Industrie-Netzteil, UPS/ESS, Solar-Wechselrichter, Beleuchtungsanwendungen, die eine hohe Leistungsdichte, Systemeffizienz und Zuverlässigkeit erfordern.

Mit fortschrittlicher Ladungsbalance-Technologie erreichen Entwickler effizientere, kostengünstigere und leistungsstärkere Lösungen, die weniger Platz auf der Platine einnehmen und die Zuverlässigkeit erhöhen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links