Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 100 A 179 W, 4-Pin SOT-669

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RS Best.-Nr.:
166-0022
Herst. Teile-Nr.:
PSMN1R2-25YLC,115
Hersteller:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

SOT-669

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

179W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

66nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Breite

4.1 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


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