- RS Best.-Nr.:
- 124-2416
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN8R2-80YS,115
- Hersteller:
- Nexperia
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 82 A |
Drain-Source-Spannung max. | 80 V |
Gehäusegröße | LFPAK, SOT-669 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 4 |
Drain-Source-Widerstand max. | 13,4 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 130 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Länge | 5mm |
Breite | 4.1mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 1.1mm |
- RS Best.-Nr.:
- 124-2416
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN8R2-80YS,115
- Hersteller:
- Nexperia