Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 165-8275
Herst. Teile-Nr.:: IRF7406TRPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Herst. Teile-Nr.:: IRF7406TRPBF
Hersteller:: Infineon

IRF7406PbF P-channel HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	5,8 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	SOIC
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	70 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	2,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	5mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	59 nC @ 10 V
Breite	4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.5mm
Diodendurchschlagsspannung	1V

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,8 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon

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