Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.9 A 1.8 W, 3-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
165-7698
Herst. Teile-Nr.:
BSP320SH6327XTSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

120mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.95V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.5 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

6.5mm

Höhe

1.6mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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