Vishay N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 30 A 390 W, 3-Pin TO-247AC

RS Best.-Nr.:: 165-7104
Herst. Teile-Nr.:: SIHG32N50D-GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 30 A 390 W, 3-Pin TO-247AC

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RS Best.-Nr.:: 165-7104
Herst. Teile-Nr.:: SIHG32N50D-GE3
Hersteller:: Vishay

SiHG32N50D, D Series Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	30 A
Drain-Source-Spannung max.	500 V
Gehäusegröße	TO-247AC
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	150 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	390 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	64 nC @ 10 V
Länge	15.87mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	5.31mm
Höhe	20.82mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 30 A 390 W, 3-Pin TO-247AC

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N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor

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