Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 190 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
165-5862
Herst. Teile-Nr.:
BSS123NH6327XTSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

190mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.6nC

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.3 mm

Länge

2.9mm

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
CN

OptiMOS™ Kleinsignal-MOSFETs von Infineon


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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