Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 190 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 165-5862
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS123NH6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 165-5862
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS123NH6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 190mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.9mm | |
| Breite | 1.3mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 190mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.9mm | ||
Breite 1.3mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
OptiMOS™ Kleinsignal-MOSFETs von Infineon
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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