onsemi NTD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 60 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 163-2294
- Herst. Teile-Nr.:
- NTD20N06T4G
- Hersteller:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | NTD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 46mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.87V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 60W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.29mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie NTD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 46mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.87V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 60W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.29mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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